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[原创] 有机氢基硅烷项目商业计划书

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本项目是用于制备“连续纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料”的前驱体物质,
也是用于采用化学气相沉积工艺(CVD)制备“第三代半导体-碳化硅(SiC)外
延材料”的基础原料,即“有机氢硅烷”的生产制备。
连续纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料(简称CMC-SiC)具有强度系数高、弹
性模量大、耐高温、抗烧蚀、抗氧化和低密度等特点,被认为是继碳/碳复合材
料(C/C)之后发展的又一新型战略性材料,可大幅度提高现有武器装备和发展
未来先进武器装备性能,也具有巨大的民用工业应用潜力,世界各发达国家都
在竞相发展。
同时,碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,具有击穿电场强度高、热稳定
性好、载流子饱和、漂移速度高、热导率高等特点,在高温、高频和高功率的
应用领域具有独特优势,将广泛用于光电子器件、电力电子器件等领域,应用
前景好市场潜力大,已成为全球半导体产业的前沿和制高点。传统的碳化硅半
导体薄膜的外延生长采用硅烷、丙烷和氢气,沉积温度为1500~1650℃,而采用
有机氢硅烷可在硅片(或碳化硅衬底)上于1050℃左右外延生长均匀的具有化
学计量比的3C-SiC单晶薄膜。并且,有机氢硅烷为单一材料供应的前驱体,空
气中不自燃,沉积温度大幅降低,因此很有发展前景。此外,有机氢硅烷可在
硅片表面低温生长高质量的SiGeC外延层,用于SiGe半导体器件的制作。

 

发表于 2021-6-23 14:45:39

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很不错的项目

 

发表于 2021-6-24 09:14:42

 

 

 

Peterpaul彼得保罗
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felix2866 | 显示全部楼层       最后访问IP山东省
头衔:  TA暂未设置 
好项目啊,我这边有气相白炭黑。

 

发表于 2021-6-24 09:25:58

回复

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654262293 | 显示全部楼层       最后访问IP河北省
头衔:  TA暂未设置 
谢谢分享

 

发表于 2021-6-24 10:52:25

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