有机氢基硅烷项目商业计划书

本项目是用于制备“连续纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料”的前驱体物质，
也是用于采用化学气相沉积工艺（CVD）制备“第三代半导体-碳化硅（SiC）外
延材料”的基础原料，即“有机氢硅烷”的生产制备。
连续纤维增韧碳化硅陶瓷基复合材料（简称CMC-SiC）具有强度系数高、弹
性模量大、耐高温、抗烧蚀、抗氧化和低密度等特点，被认为是继碳/碳复合材
料（C/C）之后发展的又一新型战略性材料，可大幅度提高现有武器装备和发展
未来先进武器装备性能，也具有巨大的民用工业应用潜力，世界各发达国家都
在竞相发展。
同时，碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有击穿电场强度高、热稳定
性好、载流子饱和、漂移速度高、热导率高等特点，在高温、高频和高功率的
应用领域具有独特优势，将广泛用于光电子器件、电力电子器件等领域，应用
前景好市场潜力大，已成为全球半导体产业的前沿和制高点。传统的碳化硅半
导体薄膜的外延生长采用硅烷、丙烷和氢气，沉积温度为1500~1650℃，而采用
有机氢硅烷可在硅片（或碳化硅衬底）上于1050℃左右外延生长均匀的具有化
学计量比的3C-SiC单晶薄膜。并且，有机氢硅烷为单一材料供应的前驱体，空
气中不自燃，沉积温度大幅降低，因此很有发展前景。此外，有机氢硅烷可在
硅片表面低温生长高质量的SiGeC外延层，用于SiGe半导体器件的制作。

很不错的项目

好项目啊，我这边有气相白炭黑。

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