MOSFET的特点及特性

    MOSFET特性主要五个方面：
    1、导通特性
    导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。Vgs满足一定条件就会导通。
    2、损失特性
    导通后均有导通电阻存在，电流就会被电阻消耗能量，这部分叫做导通损耗；小功率的管子导通电阻一般几毫欧几十毫欧，Vgs电压不一样电阻也不一样。管子在导通和截止时，两端电压有个降落过程，电流有个上升过程，在这段时间内管子的损失是电压和电流的乘积，称之为开关损失；通常开关损失比导通损失大很多，频率越快，损失越大。缩短开关时间，降低开关频率均能减小开关损失。
    3、寄生电容驱动特性
    GS GD之间存在寄生电容，MOS管的驱动理论上是对电容的充放电；对电容的充电需要一个电流，由于电容充电瞬间可以看成短路，所以瞬间电流会比较大，所以选型时需要注意抗冲击电流大小。
    4、寄生二极管
    漏极源极之间有个寄生二极管也叫做体二极管，在感性负载（马达继电器）应用中，主要用来保护回路。不过体二极管只在单个MOS管中，集成芯片中是没有的。
    5、转移特性
    场效应管的转移特性是指漏源电压固定时，栅源电压Vgs对漏极电流Id的控制特性；