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[原创] EDI 污染判断及所有解决方案全在这里

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EDI 膜块污堵的判断

1设备的化学清洗及再生

虽然EDI膜块的进水条件在很大的程度上减少了膜块内部阻塞的机会,但是着 设备运行时间的延展,EDI膜块内部水道还是有可能产生阻塞,这主要是EDI进水中含有较多的溶质,在浓水室中形成盐的沉淀。如果进水中含有大量的钙镁离子(硬度超过0.8ppm)、CO2 和较高的 PH 值,将会加快沉淀的速度。遇到这种情况,我们可以通过化学清洗的方法对EDI膜块进行清洗,使之恢复到原来的技术特性。


2EDI 膜块被污染堵塞的判定

1、在进水温度、流量不变的情况下,进水侧与产水侧的压差比原始数据升高 45%。

2、在进水温度、流量不变的情况下,浓水进水侧与浓水排水侧的压差比原始数据升高45%。

3、在进水温度、流量及电导率不变的情况下,产水水质(电阻率)明显下降。

4、在进水温度、流量不变的情况下,浓水排水流量下降35%。


3膜块堵塞的几种形式

1、颗粒/胶体污堵

2、无机物污堵

3、有机物污堵

4、微生物污堵

EDI 清洗注意:在清洗或消毒之前请先选择合适的化学药剂并熟悉安全操作规程,切不可在组件电源没有切断的状态下进行化学清洗。


●颗粒/胶体污堵

进水颗粒度≥5μm 时会造成进水流道堵塞,引起膜块内部水流分布不均匀,从而导致 膜块整体性能降低。如果EDI膜块的进水不是直接由 RO 产水端进入 EDI 膜块,而是通过RO产水箱经过增压泵供水,建议在进入EDI膜块前端增设保安过滤器(≤0.2μm)。 在组装EDI设备时,所有的连接管道系统应冲洗干净以预防管道内的颗粒杂质进入膜块。


●无机物污堵

如果 EDI 进水含有较多的溶质且超出设计值或者回收率超过设计值时,将导致浓水室和阴极室的结垢,生成盐类物质析出沉淀,通常结垢的类型为钙、镁离子生成的碳酸盐。即便这类物质的浓度很小,接触时间也很短,但随着运行时间的累加,仍有发生结垢的可能,这种硬度结垢很容易通过酸洗去除。按照方案1中的方法,使用低PH溶液在系统内部循环清洗,可以去除浓水室和阴极室的结垢。


当进水中的铁和锰含量高,或者高TDS的水以外进入到EDI膜块时,也会使淡水室的离子交换树脂或者浓水室形成无几物污堵。可以采用方案2进行清洗。


●有机物污堵

当进水有机污染物TOC或TEA含量超过设计标准时,淡水室的离子交换树脂和离子膜会发生有机污堵。可以采用方案3的方法,用高PH值的药水对淡水室及浓水室循环清洗可以将有机分子清除出离子交换树脂对这种污堵进行清洗。


●微生物污堵

当设备运行环境适于微生物生长,或者进水中存在较多的细菌和藻类的时候,EDI膜块和系统也会发生微生物污堵。可以采用方案3、4中的方法用高PH盐水进行清洗。如果微生物污堵情形比较严重时,可以采用方案5进行清洗。如果同时伴有无机物污堵, 可以按照方案6加入酸洗步骤。


对于极严重的微生物污堵,可以采用方案7或8以高PH 药剂清洗。


2

EDI 膜块8大清洗方案

1清洗方案1——浓水室结垢清洗

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过浓水管路进入EDI膜块再回到清洗水箱,浓水进、出水阀开启,关闭EDI淡水进水阀和产水阀。

4、在清洗水箱配置2%浓度的盐酸清洗液。

5、启动清洗泵,调节浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(酸洗步骤)。(参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、打开EDI进水阀和产水阀,同时对两个水室进行冲洗。

9、检测浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

10、各个阀门,恢复原始各设计流量数据。

11、恢复 EDI 各个管路与其他系统的连接。

12、开启 PLC 控制柜电源,向 EDI 膜块送电,转入正常运行,并作好初次运行的数据记录。


2清洗方案2——淡水室结垢清洗

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过进水管路分别进入EDI膜块的淡水室和浓水室,再回到清洗水箱,开启所有的进出水阀门。

4、在清洗水箱配置2%浓度的盐酸清洗液。

5、启动清洗泵,分别调节浓水、进水阀,以规定的流量循环清洗(酸洗步骤)。(参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、分别检测淡水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

9、调节各个阀门,恢复原始各设计流量数据。

10、停机,恢复EDI各个管路与其他系统的连接。

11、开启PLC控制柜电源,向EDI膜块送电,进行再生(再生步骤),直至电阻率达到出水要求为止。

12、转入正常运行,并作好初次运行的数据记录。


3清洗方案3——有机物污堵清洗

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过进水管路分别进入EDI膜块的淡水室和浓水室,再回到清洗水箱,开启所有的进出水阀门。

4、在清洗水箱配置1%浓度的氢氧化钠(NaOH)+2%盐(NaCl)的清洗液。

5、启动清洗泵,分别调节浓水、进水阀,以规定的流量循环清洗(碱洗步骤)。(参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

9、调节各个阀门,恢复原始各设计流量数据。

10、停机,恢复EDI各个管路与其他系统的连接。

11、开启PLC控制柜电源,向EDI膜块送电,进行再生(再生步骤),直至电阻率达到出水要求为止。

12、转入正常运行,并作好初次运行的数据记录。


4清洗方案 4——有机物污堵和结垢

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过进水管路分别进入EDI膜块的淡水室和浓水室,再回到清洗水箱,开启所有的进出水阀门。

4、在清洗水箱配置2%浓度的盐酸清洗液。

5、启动清洗泵,分别调节浓水、进水阀,以规定的流量循环清洗(酸洗步骤)。参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

9、在清洗水箱配置1%浓度的氢氧化钠(NaOH)+2%盐(NaCl)的清洗液。

10、启动清洗泵,分别调节浓水、进水阀,以规定的流量循环清洗(碱洗步骤)。(参见附表)

11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

12、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

13、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

14、调节各个阀门,恢复原始各设计流量数据。

15、停机,恢复EDI各个管路与其他系统的连接。

16、开启PLC控制柜电源,向EDI膜块送电,进行再生(再生步骤),直至电阻率达到出水要求为止。

17、转入正常运行,并作好初次运行的数据记录。


微生物污堵可采用方案 3 进行

微生物污堵和结垢可饿采用方案 4 进行


5清洗方案 5——严重的微生物污堵

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过进水管路进入EDI膜块的淡水室、 浓水室,再回到清洗水箱,开启所有的进出水阀门。

4、在清洗水箱配置2%浓度的盐(NaCl)清洗液。

5、启动清洗泵,调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(盐洗步骤)。(参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离产水、浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

9、在清洗水箱配置 0.04%浓度的过氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的过氧化氢(H2O2)清洗液。

10、启动清洗泵,分别调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(消毒步骤)。(参见附表)

11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

12、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

13、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

14、在清洗水箱配置 2%浓度的盐(NaCl)清洗液。

15、启动清洗泵,调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(盐洗步骤)。(参见附表)

16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离产水、浓水排水阀至地沟。

17、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

18、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

19、调节各个阀门,恢复原始各设计流量数据。

20、停机,恢复EDI各个管路与其他系统的连接。

21、开启PLC控制柜电源,向EDI膜块送电,进行再生(再生步骤),直至电阻率达到出水要求为止。

22、转入正常运行,并作好初次运行的数据记录。


6清洗方案 6——严重的微生物污堵和结垢

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过进水管路进入EDI膜块的淡水室、浓水室,再回到清洗水箱,开启所有的进出水阀门。

4、在清洗水箱配置2%浓度的盐酸清洗液。

5、启动清洗泵,分别调节浓水、进水阀,以规定的流量循环清洗(酸洗步骤)。(参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、分别检测淡水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

9、在清洗水箱配置2%浓度的盐(NaCl)清洗液。

10、启动清洗泵,调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(盐洗步骤)。(参见附表)

11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离产水、浓水排水阀至地沟。

12、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

13、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

14、在清洗水箱配置0.04%浓度的过氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的过氧化氢(H2O2)清洗液。

15、启动清洗泵,分别调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(消毒步骤)。(参见附表)

16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

17、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

18、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

19、在清洗水箱配置2%浓度的盐(NaCl)清洗液。

20、启动清洗泵,调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(盐洗步骤)。(参见附表)

21、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离产水、浓水排水阀至地沟。

22、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

23、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

24、调节各个阀门,恢复原始各设计流量数据。

25、停机,恢复EDI各个管路与其他系统的连接。

26、开启PLC控制柜电源,向EDI膜块送电,进行再生(再生步骤),直至电阻率达到出水要求为止。

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7清洗方案 7——极严重的微生物污堵

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过进水管路进入EDI膜块的淡水室、浓水室,再回到清洗水箱,开启所有的进出水阀门。

4、在清洗水箱配置2%浓度的盐(NaCl)清洗液。

5、启动清洗泵,调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(盐洗步骤)。(参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离产水、浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

9、在清洗水箱配置0.04%浓度的过氧乙酸(CH3COOOH)+0.2%的过氧化氢(H2O2)清洗液。

10、启动清洗泵,分别调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(消毒步骤)。(参见附表)

11、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

12、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

13、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

14、在清洗水箱配置1%浓度的氢氧化钠(NaOH)+2%盐(NaCl)的清洗液。

15、启动清洗泵,分别调节浓水、进水阀,以规定的流量循环清洗(碱洗步骤)。(参见附表)

16、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

17、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

18、分别检测淡水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

19、调节各个阀门,恢复原始各设计流量数据。

20、停机,恢复EDI各个管路与其他系统的连接。

21、开启PLC控制柜电源,向EDI膜块送电,进行再生(再生步骤),直至电阻率达到出水要求为止。

22、转入正常运行,并作好初次运行的数据记录。


8清洗放案 8——极严重的微生物污堵和结垢

1、记录清洗前所有数据。

2、分离EDI设备与其他设备的连接管路

3、连接清洗装置,使清洗泵通过进水管路进入EDI膜块的淡水室、浓水室,再回到清洗水箱,开启所有的进出水阀门。

4、在清洗水箱配置2%浓度的盐酸清洗液。

5、启动清洗泵,分别调节浓水、进水阀,以规定的流量循环清洗(酸洗步骤)。(参见附表)

6、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离浓水排水阀至地沟。

7、向清洗水箱连续注入清水(RO产水),启动清洗泵连续清洗(冲洗步骤)。

8、分别检测淡水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

9、在清洗水箱配置2%浓度的盐(NaCl)清洗液。

10、启动清洗泵,调节淡水、浓水进水阀,以规定的流量循环清洗(盐洗步骤)。(参见附表)

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18、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

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21、停止清洗泵,排空清洗水箱清洗废液,分离产水、浓水排水阀至地沟。

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23、分别检测产水、浓水出水侧的水质,直至与进水侧电导率相近。

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发表于 2018-8-29 11:38:57

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发表于 2018-8-29 11:51:51

 

 

 

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海川高一  |  头衔:  TA暂未设置 
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发表于 2018-8-29 20:29:47

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