本帖最后由 xinht1 于 2023-9-16 22:32 编辑
有两种做法，96块（16×6）55寸液晶电视屏无缝拼接，或者84块（14×6），或者整体LED大屏幕，液晶屏拼接的清晰度要高很多。
其实都没有什么用，一个42寸电视能显示的内容放在巨大的屏幕上显示，都是一回事，甚至有的单位拿来播放监控，真实奇葩至极，说白了只不过是为了彰显所谓的大气。
蓝光辐射比较烧脑，我帮老鱼科普一下，蓝光辐射要从LED芯片说起，LED屏实际上是由无数LED灯珠组成，来显示不同的颜色矩阵，来显示图像，显示的过程中就好比一个个小光源，而LED灯珠是由主流的LED蓝光芯片和LED荧光粉组成发光体组成，外加环氧树脂进行封装，加金线组成灯珠。
LED芯片发光的原理
LED蓝光芯片的发光原理是PN结半导体在两端施加电压后，电子在空穴之间移动发生能级跃迁到激发态，再由激发态跃迁至基态的过程，释放出光子，释放的光子主要是蓝色光，短波长高能量，这种属于电致发光。
LED灯珠发光的原理
LED灯珠发光主要靠LED蓝光芯片通电后产生的蓝光，GaN芯片峰值波长λp=465nm，wd=30nm半峰宽度。产生的蓝光再照射到涂覆在芯片上的LED荧光粉，使荧光粉产生激发，由基态跃迁到高能级，再由高能级向基态跃迁的过程产生光子，这个属于光致发光，最简单的GaN芯片和黄色荧光粉的组合封装，黄色荧光粉发黄光，芯片发蓝光，蓝光和黄光组合之后就是白光，在光谱上，实际上是两种光线的物理混合产生假白光，并不是实际意义上的自然光太阳光的白光，另外比如两种光的配比不好时会存在蓝光剩余，就是所说的蓝光辐射，实际上很难做到理想状态，LED荧光粉固体粉末覆盖在LED芯片上来发光，无论如何都很难做到均匀的理想状态，所以蓝光剩余是受技术限制客观存在的情况，所以在为小孩选择阅读灯的时候还是建议选择钨丝灯或者日光灯，当然也不排除有的厂家对面板做的比较好，可以有效的散射一部分蓝光。LED的组合除了蓝色芯片配黄色钇铝石榴石来产生白光，还可以是蓝色芯片配红色氮化物和黄色钇铝石榴石来产生白光，或者紫外芯片配红色氮化物（R）和绿色的塞隆（G）和蓝色的钨钼酸盐（B）来产生白光。
个人观点仅供学习交流。
xinht整理的基础知识
（1）λp（峰值波长） 光谱发光强度或辐射功率最大处所对应的波长。它是一种纯粹的物理量，一般应用于波形比较对称的单色光的检测。 （2）λd（主波长） 眼睛能看到光源发出的主要光的颜色所对应的波长为主波长；在CIE1931马蹄形坐标中，从E点（0.33，0.33）象被测物体做延长线与马蹄形曲线有交点对应的波长。 通常你所看到的一束光，它并非是单一波长的光，它是由很多波长的光组合而成的。其中，某一波长的光的能量相对其它波长的光能量都大，则这一波长就是该束光的峰值波长λp。
但是，这一束光中各波长光的波长分布并不一定以λp为界对称分布，我们人眼感受到的是各波长作用的综合结果，感觉它对应于一个单一波长的光，这个波长值就是λd。在波长分布曲线上，一条横坐标与曲线之间的垂直线，将曲线下的面积分成左右两边相等，这条垂线对应的波长值就是λd。 一般对于色光来说我们是要看λd值，因为λd值能够更准确的反应它的颜色；λp值应该更多的用在蓝光激发荧光粉形成白光的时候，以判断蓝光芯片的λp值与荧光粉的激发波长是否匹配？另外非单色光（复色光），一般是白光，λd值也只是可以参考，要判断它的颜色还是要看它的色坐标或是色温。 谱线半宽度（half width of line spectrum），光谱线的半值宽度，是指两半峰位置间的波长差，即半谱宽度。
（3）PN结的概念
N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。 [1]
P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。
（4）掺杂的概念 自然界中几乎不存在理想的，无任何缺陷的晶体，半导体晶体也是如此。无论是何种半导体材料，其内难以避免存在位错（dislocations）、杂质原子（impurity atoms）等缺陷（defects）。这些缺陷的存在都使得严格按周期性排列的晶体原子所产生的周期性势场受到破坏，进而在半导体中引入新的电子能级态，这将会严重影响半导体的导电等特性。 由于位错的类型、分布等较难控制，难以精准控制其对半导体导电性能的影响，因此一般希望半导体晶体内位错密度越小越好。 而杂质原子则不同，杂质的种类、含量、分布等都可在半导体晶体的制备过程中通过适当的方法进行控制，进而比较准确控制半导体的导电性能。因此，在工程实际中，人们往往利用掺杂来获取具有目标性能的半导体材料。 掺杂是为控制半导体的性质，人为掺入杂质的工艺过程。掺杂杂质一般为替位式掺杂，即由杂质原子取代晶格位点处的原始原子。所掺入的杂质原子往往具有与半导体原始原子不同的原子结构，尤其是价电子结构，不过二者的价电子结构一般比较接近，如III，V族杂质原子对应于Si，Ge等VI族元素半导体，II，VI族杂质原子对应于III-V族化合物半导体等。 （5）LED金线 金线是LED灯珠封装过程中核心的部件之一，对LED灯珠的使用寿命也起着决定性的作用。封装LED灯珠使用的金线纯度含金量在99.99%以上，这种材质的金再经拉丝工序生产而成，这种金里面除了含有99.99%的金元素外，还含有1%以下的其它微量元素，比如Ag/Cu/Si/Ca/Mg等。焊接时有时也会用到银线，银线是由纯度为99.99%以上的银元素加1%以下的它微量元素组成，比如Ag/Cu/Si/Ca/Mg等。 LED专用金线是由金纯度为99.99%以上的材质拉丝而成，通过设计合理的合金比例，使金丝具有拉力和键合强度足够高、成球性好、振动断裂率低的优点。键合金丝大部分应为纯度99.99%以上的高纯合金丝，微量元素（Ag/Cu/Si/Ca/Mg等微量元素）总量保持在0.01%以下，以保持金的特性。 LED专用金线与不合格金线之间有直径偏差，1克金，可以拉制出长度26.37m、直径50μm（2mil）的金线，也可以拉制长度105.49m、直径25μm（1mil）的金线。如果拉制金线长度都是固定的，来料金线的直径为原来的一半，那么对拉制的金线所测电阻为正常的四分之一。而这对于金线供应商来说金线直径越细，成本越低，利润就会越高。 而对于使用金线的LED客户来说，采购直径上偷工减料的金线，会存在金线电阻升高，熔断电流降低的风险，会**降低LED光源的寿命。1.0mil的金线寿命，必然比1.2mil的金线要短，但是封装厂的简单检测是测试不出来，必须用精密仪器才能检测出金线的直径。 金线具有电导率大、导热性好、耐腐蚀、韧性好、化学稳定性极好等优点深受广大封装厂家的喜爱，但金线的价格昂贵，导致封装成本过高。在元素周期表中，过渡组金属元素中金、银、铜和铝四种金属元素具有较高的导电性能。很多LED厂商试图开发诸如铜合金、金包银合金线、银合金线材来代替昂贵的金线。 虽然这些替代方案在某些特性上优于金线，但是在化学稳定性方面却差很多，比如银线和金包银合金线容易受到硫/氯/溴化腐蚀，铜线容易氧化。在类似于吸水透气海绵的封装硅胶来说，这些替代方案使键合丝易受到化学腐蚀，光源的可靠性降低，使用时间长了，LED灯珠容易断线死灯。
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