MOSFET的参数详解

    1.开启电压VT-开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开端构成导电沟道所需的栅极电压；-规范的N沟道MOSFET，VT约为3～6V；-经过工艺上的改良，能够使MOSFET的VT值降到2～3V。
    2. 直流输入电阻RGS-即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比-这一特性有时以流过栅极的栅流表示-MOSFET的RGS能够很容易地超越1010Ω。
    3. 栅源击穿电压BVGS-在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开端剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
    4. 漏源击穿电压BVDS-在VGS=0（加强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开端剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS-ID剧增的缘由有下列两个方面：
    （1）漏极左近耗尽层的雪崩击穿
    （2）漏源极间的穿通击穿-有些MOSFET中，其沟道长度较短，不时增加VDS会使漏区的耗尽层不断扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直承受耗尽层电场的吸收，抵达漏区，产生大的ID
    5. 低频跨导gm-在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和惹起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导-gm反映了栅源电压对漏极电流的控制才能-是表征MOSFET放大才能的一个重要参数-普通在非常之几至几mA/V的范围内
    6. 极间电容-三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS-CGS和CGD约为1～3pF-CDS约在0.1～1pF之间
    7. 导通电阻RON-导通电阻RON阐明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数-在饱和区，ID简直不随VDS改动，RON的数值很大，普通在几十千欧到几百千欧之间-由于在数字电路中 ，MOSFET导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似-对普通的MOSFET而言，RON的数值在几百欧以内
    8. 低频噪声系数NF-噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所惹起的-由于它的存在，就使一个放大器即使在没有信号输人时，在输出端也呈现不规则的电压或电流变化-噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）-这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小-低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数-场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小.

问下楼主，您这种抄来的网上资料，也居然叫原创。
另外您的这种垃圾内容与仪表没有什么关系吧。

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