还原炉电压差异

生产后期，还原炉几项电压差距很大？什么原因排查硅棒粗细差异。

• V=IR，如果每相的I给定都一样，若V不一样，那么就是每一相的R不一样。
• R=σL/A，L和A都一样，那么导致V不一样的原因就是电阻率σ不一样。
• σ与杂质浓度和温度都有关系，杂质浓度不用考虑，那只是与温度有关系了。
• 每一相的温度，前期由于硅棒比较细，还原炉内气相径向温度梯度（除了硅棒周围）差别还不大，所以每相的硅棒温度差别还不大；但后期，由于进料量增大，每棒硅棒与进料口的位置不一样，以及硅棒直径变大导致每根硅棒向炉壁辐射的热量损失差别都很大（因为相互遮挡），所以每根硅棒的温度都不一样。温度不一样，σ不一样，那么每根硅棒的电阻就不一样。每一相中的硅棒位置都差不多，但相与相的硅棒总电阻却会差很多。
  

好人做到底，提供一个σ-T的近似公式。
Lnσ=-9.6554+6646/T
你对这样充满诚意的回复还满意吗？

ulsgh 发表于 2019-3-7 14:37

V=IR，如果每相的I给定都一样，若V不一样，那么就是每一相的R不一样。

R=σL/A，L和A都一样，那么 ...

牛人，学习了

ulsgh 发表于 2019-03-07 14:37
<ul><br /><li>V=IR，如果每相的I给定都一样，若V不一样，那么就是每一相的R不一样。
</li>
<li>R=σL/A，L和A都一样，那么导致V不一样的原因就是电阻率σ不一样。
</li>
<li>σ与杂质浓度和温度都有关系，杂质浓度不用考虑，那只是与温度有关系了。
</li>
<li>每一相的温度，前期由于硅棒比较细，还原炉内气相径向温度梯度（除了硅棒周围）差别还不大，所以每相的硅棒温度差别还不大；但后期，由于进料量增大，每棒硅棒与进料口的位置不一样，以及硅棒直径变大导致每根硅棒向炉壁辐射的热量损失差别都很大（因为相互遮挡），所以每根硅棒的温度都不一样。温度不一样，σ不一样，那么每根硅棒的电阻就不一样。每一相中的硅棒位置都差不多，但相与相的硅棒总电阻却会差很多。
</li>
</ul>好人做到底，提供一个σ-T的近似公式。<br />Lnσ=-9.6554+6646/T<br />你对这样充满诚意的回复还满意吗？

厉害了   
个人觉得冷却水水温在中后期的控制也起到一定的作用

ulsgh 发表于 2019-3-7 14:37

V=IR，如果每相的I给定都一样，若V不一样，那么就是每一相的R不一样。

R=σL/A，L和A都一样，那么 ...

硅棒生长的致密性也会造成电阻的差异。由于生长位置和气场的原因，硅棒在炉子里生长的速率不同，致密度有时差异很大的。