单晶硅和电容式及扩散硅压力变送器的优缺点

单晶硅和电容式及扩散硅压力变送器的优缺点以及应用范围的区别大家有知道的给详细的讲解一下，多谢了。

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电容式压力变送器与扩散硅压力变送器的区别
电容式变送器有一个可变电容的传感组件，称为“δ"室。该传感器是一个完全封闭的组件。过程压力、差压通过隔离膜片和灌充液硅油传到传感膜片引起位移，传感膜片和两电容极板之间的电容差由电子部件转换成(4～20)mA的两线制输出的电信号。电子放大电路由解调器、振荡器、振荡控制放大器、电流检测器、电流控制放大器、电流限制控制器、基准电压、稳压器等组成。通过它们对电容信号进行检测，从而控制振荡频率，再将其转换为电流输出。

性能
优点
1.可做到极低压力
2.抗过载能力强
3.精度高
缺点
高压测量缺乏优势
传感器封装工艺要求高
工作原理
工作原理
　　仪表通过温度传感器把温度信号变为电信号，再由前置放大器把此电信号放大滤波，送往CPU的A/D 转换模块进行模拟量到数字量的变换。最后由CPU进行数据处理并显示及PWM输出。
被侧介质---〉传感器---〉电子线路---〉输出信号
　　被测介质的压力直接作用于传感器的陶瓷/扩散硅膜片/上，使膜片产生与介质压力成正比的微小位移，正常工作状态下，膜片最大位移不大于0.025毫米，电子线路检测这一位移量后，即把这一位移量转换成对应于这一压力的标准工业测量信号。超压时膜片直接贴到坚固的陶瓷基体/扩散硅上，由于膜片与基体的间隙只有0.1毫米，因此过压时膜片的最大位移只能是0.1毫米，所以从结构上保证了膜片不会产生过大变形，该传感器具有很好的稳定性和高可靠性。
扩散硅压力变送器的主要特点

　　1、稳定性高-每年优于0.1%满量程。
　　2、温度偏移小-由于取消了测量元件中的中介液，因而传感器不仅获得了很高的测量精度.
　　3、可靠性好-采用大规模IC，电路可靠性好，抗干扰性能强。
　　4、适用性广-产品具有多种型号，多种过程连接形式，可适应工业测量中的各种介质。
　　5、安装维护简便产品结构合理，体积小,重量轻，可直接任意位置安装。
缺点是：
低于0℃后，温度稳定性大幅度降低
不能承受动态压力
膜片较易损伤

扩散硅压力变送器
区别
扩散硅压力变送器

电容式压力变送器

　　20世纪90年代中期，美国Icscnsor，公司,Nova公司应用硅品石和硅品片益合两项尖端科技生产了新型扩散硅压力传感器并开发出具有精度高、重复性小、抗腐蚀的扩散硅压力变送器
过程压力通过隔离膜片、密封硅油传输到扩散硅膜片上，同时参考端的压力（大气压）作用于膜片的另一端。这样膜片两边的压差产生一个压力场，使膜片的一部分压缩。另一部分拉伸，在压缩区和拉伸区分别有两个应变电阻片，以感受压力引起的阻值的变化，从而将压力信号转换为电信号.扩散硅在低温零度以下、高温85℃以上难以正常使用，也不适用于20MPa以上的高压。
电容薄膜式压力变送器
电容薄膜式绝对压力变送器自20世纪80年代诞生至今己有20多年历史，由于它精度高，耐腐蚀，耐污染，稳定性好，是冈内外公认的检渊低真空压力的理想仪表。美国的M.K.S公司是全球生产电容式压力变送器的主要生产厂家，涉及民用工业的各个领域，并在航天工业、核工业等**工业中发挥着独特的作用。这种压力变送器是利用弹性薄膜在压差作用下产生压变引起电容变换的原理制成的，它由检测部分和转换电路组成，如图7一34所示.检测部分有真空腔和检测腔两个腔体。真空腔为全密封结构，经质谱检漏仪检漏合格后，通过长时间排气，最后将排气管密封而形成，井备有消气剂以消除残余气体，长期保持高真空.固定极板位于真空腔中，由极板引出线引至腔外.检测膜片置于高真空的真空腔及连接低真空待测系统的检测腔之间，检测膜片为可动极板，其与固定极板形成一个平板电容器，有一定的电容（J.。被测的低真空压力通过检测孔进人检测腔，检测膜片产生挠曲，改变了其与固定极板的距离，电容值也随之改变。不同的低真空压力值决定不同的电容值。最后电容信号被输送到电路转换部分，电路转换部分将电容信号通过变换、整理、放大等环节，输出一个标准电压或电流信号，它与真空压力成正比。该类型压力变送器为高灵敏度差压测量，零点稳定。动态响应特性好，适应性强，一般适用于静压力的测最.