MOSFET发热异常，排查原因来优化设备运行

    在电路设计的时候常常会发生MOSFET发热的情况，而MOSFET发热说明了它正在错误运行。为了避免MOSFET发热危害到整体设备的运行，所以在再次运行之前需要先排查出MOSFET发热的原因。MOSFET发热无非是这几种情况，接下来为大家分享一下。
    一、电路设计
    让MOSFET工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。
    二、工作频率
    这是在调试过程中比较常见的现象，降频主要由两个方面导致。输入电压和负载电压的比例小、系统干扰大。对于前者，注意不要将负载电压设置的太高，虽然负载电压高，效率会高点。对于后者，可以尝试以下几个方面：
    1、将电流设置的再小点
    2、布线干净点，特别是sense这个关键路径
    3、将电感选择的小点或者选用闭合磁路的电感
    4、加RC低通滤波吧，这个影响有点不好，C的一致性不好，偏差有点大，不过对于照明来说应该够了。无论如何降频没有好处，只有坏处，所以一定要解决。
    有些时候，MOSFET频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOSFET上的损耗增大了，所以发热也加大。
    三、散热设计
    电路板没有做好足够的散热设计，电流太高，MOSFET标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。