MOSFET漏电现象检查步骤

    日前我们所能见到的场效应管，多半是广义上的VMOS，即垂直沟道功率MOSFET。小功率的场效应管并不常见，JFET和MOSFET则兼而有之，如果玩1970~1980年间的收音头和音频功放，见到它们的机会就多一些。在更占老的机器里，也许还能见到VFET，在固态射频发射机里，LDMOS和HEMT也能够见到，只是这样的机会是少而又少。下面是MOSFET假如有阻值没被测MOS管有漏电现象操作步骤。
    测试步骤：
    MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。
    其步骤如下：
    1、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假如移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则完好
    2、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，假如指针立刻返回无限大，则MOS完好。
    3、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。
    4、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，因为电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。